| 저결함(<1x10^4 cm^-2)특성의 고품위 Ga2O3 에피소재 및 1kV 이상의 항복전압을 가지는 전력소자 기술 개발 | |
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| 과제명 | 저결함(<1x10^4 cm^-2)특성의 고품위 Ga2O3 에피소재 및 1kV 이상의 항복전압을 가지는 전력소자 기술 개발 |
| 참여기관 | 소재부품기술개발사업, 산업통상자원부 |
| 과제기간 | 2017.07-2023.12 |
Research
Advanced Semiconductor Technology Laboratory
Research projects
School of Electronic and Electrical Engineering
Hongik University
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