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44 전하 함유층을 구비한 이종접합 전계효과 트랜지스터 및 그 제조방법 10-2025-0136887, 2025, (등록) 10-2918460-00-00, 2026 차호영, 박상연, 임준혁, 표진혁(국내 특허, KOREA, Republic of).
43 GaN 기반 E-mode 트렌지스터 10-2025-0043628, 2025 차호영, 김현지, 임진홍, 김정진, 곽철호(국내특허, KOREA, Republic of).
42 확장된 게이트가 구비된 HEMT 소자 및 그 제조 방법 10-2025-0032697, 2025 차호영, 이민근, Gökhan Atmaca(곡한 앝마자) (국내특허, KOREA, Republic of).
41 이종접합 전계효과 트랜지스터 및 그 제조방법 10-2024-0138879, 2024 Gökhan Atmaca(곡한 앝마자), 정민기, 곽철호, 차호영 (국내특허, KOREA, Republic of).
40 트렌치 필드 플레이트 (Trench field plate) 구조를 갖는 수직형 다이오드 구조 설계 프로그램 C-2023-053224 이성훈, 차호영, 오승준, 김지호 (저작권)
39 E-모드와 D-모드를 갖는 이종접합 전계효과 트랜지스터 및 그 제조 방법 10-2023-0015615, 2023, (등록) 10-2708337, 2024 차호영, 양여름, 임준혁 (국내특허, KOREA, Republic of).
38 E-모드 이종접합 트랜지스터 및 그 제조 방법 10-2023-0018644, 2023 차호영, 김동국, 김정진, 임준혁 (국내특허, KOREA, Republic of).
37 전력 반도체 트랜지스터 및 그 제조 방법 10-2023-0152157, 2023, (등록) 10-2912244, 2026 차호영, 곡한 앝마자, 김정진, 임진홍, 곽철호 (국내특허, KOREA, Republic of).
36 수직형 다이오드 및 수직형 다이오드 제조방법 10-2023-007149, 2023, (등록) 10-2692657, 2024 차호영, 이성훈 (국내특허, KOREA, Rupublic of).
35 D-모드와 E-모드를 갖는 이종접합 전계효과 트랜지스터 및 그 제조 방법 10-2022-0079161, 2022 차호영, 임준혁, 장원호 (국내특허, Korea, Republic of).
34 E-모드 반도체 소자 10-2021-0013684, (등록) 10-2459067, 2022 차호영, 장찬희 (국내특허, KOREA, Republic of).
33 이종접합 전계효과 트랜지스터 및 그 제조 방법 10-2021-0013634, 2021 차호영, 임준혁 (국내특허, KOREA, Republic of).
32 이중 촉매층을 구비한 수소센서를 포함하는 수소 센서 패키지 10-2020-0133358, 2020, (등록) 10-2468507, 2022 차호영, 최준행 (국내특허, KOREA, Republic of).
31 단방향 전력 스위칭 소자 10-2020-0110572, 2020 차호영, 김태현, 임준혁, 장원호 (국내특허, KOREA, Republic of).
30 이종접합 전계효과 트랜지스터 10-2020-0110533, 2020 차호영, 서광석, 장원호, 황일환 (국내특허, KOREA, Republic of).

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