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Advanced Semiconductor Technology Laboratory

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35 수직형 다이오드 및 수직형 다이오드 제조방법 10-2023-007149 차호영, 이성훈 (국내특허, KOREA, Rupublic of.)
34 E-모드 반도체 소자 10-2021-0013684, (등록) 10-2459067, 2022 차호영, 장찬희 (국내특허, KOREA, Republic of).
33 이종접합 전계효과 트랜지스터 및 그 제조 방법 10-2021-0013634 차호영, 임준혁 (국내특허, KOREA, Republic of).
32 이중 촉매층을 구비한 수소센서를 포함하는 수소 센서 패키지 10-2020-0133358, 2020, (등록) 10-2468507, 2022 차호영, 최준행 (국내특허, KOREA, Republic of).
31 단방향 전력 스위칭 소자 10-2020-0110572, 2020 차호영, 김태현, 임준혁, 장원호 (국내특허, KOREA, Republic of).
30 이종접합 전계효과 트랜지스터 10-2020-0110533, 2020 차호영, 서광석, 장원호, 황일환 (국내특허, KOREA, Republic of).
29 이종접합 기반 다이오드 타입 고감도 수소센서 10-2020-0087474, 2020 차호영, 최준행 (국내특허, KOREA, Republic of).
28 광 트랜지스터용 양자점 반사 방지막, 이를 포함하는 광 트랜지스터 및 그 제조방법 10-2020-0025399, 2020 차호영, 양희선, 장원호 (국내특허, KOREA, Republic of).
27 반도체 소자의 전극 형성 방법 및 그에 따라 형성된 전극 구조 10-2019-0178409, 2019, (등록) 10-2313029,2021 차호영, 김현섭 (국내특허, KOREA, Republic of).
26 듀얼 포토다이오드 및 이의 제조 방법 10-2019-0118990, 2019 차호영 (국내특허, KOREA, Republic of).
25 듀얼포토다이오드의 제조방법, 그에 따른 듀얼포토다이오드, 듀얼포토다이오드를 이용한 파장 및 세기 측정방법 10-2019-0050060, 2019, (등록) 10-2244132, 2021 차호영, Pham Thi Thuy Thu(팜티튀투) (국내특허, KOREA, Republic of).
24 HFET의 제조방법과 그에 따라 제조된 더블채널 HFET 및 선택적 식각 방법 10-2019-0050055, 2019 차호영, 장원호, 최준행 (국내특허, KOREA, Republic of).
23 항복전압 특성이 개선된 쇼트키 장벽 다이오드 및 그 제조방법 10-2019-0049093, 2019, (등록) 10-2183959, 2020 차호영, 최준행 (국내특허, KOREA, Republic of).
22 항복전압이 개선된 수직형 PIN 다이오드 및 이의 제조방법 10-2018-0152374, 2018 차호영, Pham Thi Thuy Thu(팜티튀투) (국내특허, KOREA, Republic of).
21 광 다이오드용 양자점 반사 방지막, 이의 제조 방법 및 반사 방지막을 포함하는 광 다이오드 10-2018-0130469, 2018 차호영, 양희선 (국내특허, KOREA, Republic of).

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