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25 듀얼포토다이오드의 제조방법, 그에 따른 듀얼포토다이오드, 듀얼포토다이오드를 이용한 파장 및 세기 측정방법 10-2019-0050060, 2019, (등록) 10-2244132, 2021 차호영, Pham Thi Thuy Thu(팜티튀투) (국내특허, KOREA, Republic of).
24 HFET의 제조방법과 그에 따라 제조된 더블채널 HFET 및 선택적 식각 방법 10-2019-0050055, 2019 차호영, 장원호, 최준행 (국내특허, KOREA, Republic of).
23 항복전압 특성이 개선된 쇼트키 장벽 다이오드 및 그 제조방법 10-2019-0049093, 2019, (등록) 10-2183959, 2020 차호영, 최준행 (국내특허, KOREA, Republic of).
22 항복전압이 개선된 수직형 PIN 다이오드 및 이의 제조방법 10-2018-0152374, 2018 차호영, Pham Thi Thuy Thu(팜티튀투) (국내특허, KOREA, Republic of).
21 광 다이오드용 양자점 반사 방지막, 이의 제조 방법 및 반사 방지막을 포함하는 광 다이오드 10-2018-0130469, 2018 차호영, 양희선 (국내특허, KOREA, Republic of).
20 이종접합 전계효과 트랜지스터 및 그 제조 방법 10-2018-0034619, 2018 차호영, 한상우, 조민기, 황일환 (국내특허, KOREA, Republic of).
19 이종접합 전계효과 트랜지스터 및 그 제조 방법 10-2018-0034615, 2018 차호영, 한상우, 장원호, 강명진 (국내특허, KOREA, Republic of).
18 이종접합 전계효과 트랜지스터 및 그 제조 방법 10-2018-0034610, 2018 차호영, 한상우, 김현섭, 엄수근 (국내특허, KOREA, Republic of).
17 QUENCHING CIRCUIT 15927350 (미국특허출원, USA), 2019-02-15 (미국특허등록, USA) H.-Y. Cha, J.-I. Kang
16 퀜칭회로 10-2017-0036090, 2017, (등록) 10-1777657, 2017 차호영, 강종익 (국내특허, KOREA, Republic of).
15 질화갈륨계 전력 스위칭 장치 10-2017-0069653, 2017, (등록) 10-1873219, 2018 차호영, 한상우, 김현섭 (국내특허, KOREA, Republic of).
14 방향성 엔지니어링을 이용한 실리콘 소자의 집적 구조 및 그 제조 방법 10-2016-0109055, 2016, (등록)10-1855808, 2018 차호영, 한상우, 장원호 (국내특허, KOREA, Republic of).
13 GaN 기반의 CMOS 소자 및 그 제조방법 10-2016-0107853, 2016, (등록) 10-1803736, 2017 차호영, 한상우, 조민기 (국내특허, KOREA, Republic of).
12 다이오드 내장형 반도체 소자 10-2014-0188469, 2014, (등록) 10-22410120000, 2021 김재한, 차호영, 박봉렬 (국내특허, KOREA, Republic of).
11 노멀리 온 동작을 하는 스위칭 소자를 위한 게이트 드라이버 10-2014-0023538, 2014, (등록) 10-1605401, 2016 차호영, 한상우 (국내특허, KOREA, Republic of).

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