| 항복전압 특성이 개선된 쇼트키 장벽 다이오드 및 그 제조방법 | |
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| Title | 항복전압 특성이 개선된 쇼트키 장벽 다이오드 및 그 제조방법 |
| Info1 | 10-2019-0049093, 2019, (등록) 10-2183959, 2020 |
| Info2 | 차호영, 최준행 (국내특허, KOREA, Republic of). |
Publication
Advanced Semiconductor Technology Laboratory
Books & Patents
School of Electronic and Electrical Engineering
Hongik University
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