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Advanced Semiconductor Technology Laboratory

Domestic journal

2022

16

SnO2 나노입자를 활용한 GaN 기반 수소 센서의 반응도 개선 연구 한국전자파학회논문지(Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science), 제 33권, 제 2호, pp. 92-97, 2월, 2022년 최원태, 박태현, 허재현, 김정진, 차호영 DOI : 10.5515/KJKIEES.2022.33.2.000, ISSN : 1226-3133 (Print), 2288-226X (Online)

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2021

15

Light Emitting Properties of Si Micro Single Crystal Grown b… 새물리(New Physics : Sae Mulli), 제 71권, 제 12호, pp.1018~1026, 12월, 2021년 김경화, 이강석, 박정현, 김소윤, 안형수, 이재학, 전영태, 양민, 이삼녕, 황선령, 전헌수, 하동한, 류상훈, 김석환, 차호영 DOI : 10.3938/NPSM.71.1018, ISSN : 0374-4914(Print), 2289-0041(Online)

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14

Current Enhancement of AlGaN/GaN Heterojunction Using Atomic… 전자공학회논문지(Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers), 제 58권, 제 5호, pp. 14-19, 5월, 2021년 장원호, 김태현, 임준혁, 차호영 DOI : 10.5573/ieie.2021.58.5.14, ISSN : 2287-5026 (Print), 2288-159X (Online)

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2020

13

반사방지 나노 구조체를 이용한 AlGaN UV 포토다이오드의 광반응도 향상 한국정보통신학회논문지 (Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering), 제 24권, 제 10호, pp. 13061311, 8월, 2020. Duc Chu Dac, 최준행, 김정진, 차호영 DOI : 10.6109/jkiice.2020.24.10.1306, ISSN : 2234-4772 (Print), 2288-4165 (Online)

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12

p-GaN/AlGaN/GaN E-mode FET 제작을 위한 선택적 GaN 식각 공정 개발 한국정보통신학회논문지 (Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering), 제24권, 제2호, pp. 321-324, 2월, 2020. 장원호, 차호영 DOI : 10.6109/jkiice.2020.24.2.321, ISSN : 2234-4772 (Print), 2288-4165 (Online)

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2019

11

플로팅 금속 가드링 구조를 이용한 Ga2O3 쇼트키 장벽 다이오드의 항복 특성 개선 연구 전기전자학회 논문지(Journal of Institute of Korean Electrical and Electronics Engineers), 제23권, 제1호, pp. 193-199, 3월, 2019. 최준행, 차호영 DOI : 10.7471/ikeee.2019.23.1.193, ISSN : 1226-7244 (Print), 2288-243X (Online)

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10

AlGaN/GaN-on-Si 이종접합 기반의 고감도 수소센서 KEPCO Journal on Electric Power and Energy, 제5권, 제1호, pp. 39-43, 3월, 2019. 최준행, 조민기, 김형탁, 이호경, 차호영 DOI : 10.18770/KEPCO.2019.05.01.039, ISSN : 2465-8111 (Print), 2466-0124 (Online)

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2018

9

Tunable RF 기기 적용을 위한 ALD-HfO2의 마이크로파 대역 강유전체 특성 고찰 전기전자학회 논문지(Journal of Institute of Korean Electrical and Electronics Engineers), 제22권, 제3호, pp. 780-785, 9월, 2018. 한상우, 이창현, 이정해, 차호영 DOI : 10.7471/ikeee.2018.22.3.780, ISSN : 1226-7244 (Print), 2288-243X (Online)

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8

PECVD SiON 절연막을 이용한 4H-SiC MOS 소자 특성 연구 전기전자학회 논문지(Journal of Institute of Korean Electrical and Electronics Engineers), 제22권, 제3호, pp. 706-711, 9월, 2018. 김현섭, 이재길, 임종태, 차호영 DOI : 10.7471/ikeee.2018.22.3.706, ISSN : 1226-7244 (Print), 2288-243X (Online)

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7

P(VDF-TrFE) 유기물 강유전체를 활용한 질화갈륨 네거티브 커패시턴스 전계효과 트랜지스터 전기전자학회 논문지(Journal of Institute of Korean Electrical and Electronics Engineers), 제22권, 제1호, pp. 209-212, 3월, 2018. 한상우, 차호영 DOI : 10.7471/ikeee.2018.22.1.209, ISSN : 1226-7244 (Print), 2288-243X (Online)

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2017

6

현대 전력모듈의 소형화 및 GaN 기반 전력반도체의 모노리식 집적화 기술 전기전자재료(Bulletin of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers), 제30권, 제6호, pp. 10-18, 6월, 2017. 한상우, 차호영 DOI : -, ISSN : 1226-7937 (Print)

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5

단결정 β-Ga2O3 반도체를 이용한 쇼트키 배리어 다이오드 제작 대한전자공학회 논문지(The Institute of Electronics Engineers of Korea), 제54권, 제1호, pp. 21-25, 1월, 2017. 김현섭, 조민기, 차호영 DOI : 10.5573/ieie.2017.54.1.001, ISSN : 2287-5026 (Print), 2288-159X (Online)

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2014

4

산화갈륨 희생층을 이용한 AlGaN/GaN-on-Si HFET의 특성 개선 연구 대한전자공학회 논문지(The Institute of Electronics Engineers of Korea), 제51권, 제2호, pp. 33-37, 2월, 2014. 이재길, 차호영 DOI : 10.5573/ieie.2014.51.2.033, ISSN : 2287-5026 (Print), 2288-159X (Online)

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2013

3

AlGaN/GaN-on-Si 전력스위칭소자의 자체발열 현상에 관한 연구 대한전자공학회 논문지(The Institute of Electronics Engineers of Korea), 제50권, 제2호, pp. 91-97, 2월, 2013. 김신영, 차호영 DOI : 10.5573/ieek.2013.50.2.091, ISSN : 2287-5026 (Print), 2288-159X (Online)

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2012

2

분극 엔지니어링을 통한 상시불통형 질화알루미늄갈륨 이종접합 전계효과 트랜지스터 설계 한국정보통신학회논문지, 16권, 22호, pp.2726-2741, 12월, 2012. 차호영, 성혁기 DOI : 10.6109/jkiice.2012.16.12.2741, ISSN : 2234-4772 (Print), 2288-4165 (Online)

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