Publication

Advanced Semiconductor Technology Laboratory

Domestic journal
2024
18 증강형 GaN FET 모델링 및 회로 구현에 대한 연구 조명․전기설비학회논문지(KIIEE : Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers), 4월, 2024년 신유진, 차호영, 김현섭
2023
17 자외선 조사를 이용한 SnO2 나노입자/Pd 촉매층을 갖는 GaN 기반 수소 센서의 안정성 개선 연구 반도체공학회 논문지(TSE: Transactions on Semiconductor Engineering), Vol. 1, No. 2, Oct., 2023 최원태, 오희재, 김정진, 차호영 DOI : 10.22895/tse.2023.0002, ISSN : 3022-2028 (Online) LINK
2022
16 SnO2 나노입자를 활용한 GaN 기반 수소 센서의 반응도 개선 연구 한국전자파학회논문지(Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science), 제 33권, 제 2호, pp. 92-97, 2월, 2022년 최원태, 박태현, 허재현, 김정진, 차호영 DOI : 10.5515/KJKIEES.2022.33.2.000, ISSN : 1226-3133 (Print), 2288-226X (Online) LINK
2021
15 Light Emitting Properties of Si Micro Single Crystal Grown b… 새물리(New Physics : Sae Mulli), 제 71권, 제 12호, pp.1018~1026, 12월, 2021년 김경화, 이강석, 박정현, 김소윤, 안형수, 이재학, 전영태, 양민, 이삼녕, 황선령, 전헌수, 하동한, 류상훈, 김석환, 차호영 DOI : 10.3938/NPSM.71.1018, ISSN : 0374-4914(Print), 2289-0041(Online) LINK
14 Current Enhancement of AlGaN/GaN Heterojunction Using Atomic… 전자공학회논문지(Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers), 제 58권, 제 5호, pp. 14-19, 5월, 2021년 장원호, 김태현, 임준혁, 차호영 DOI : 10.5573/ieie.2021.58.5.14, ISSN : 2287-5026 (Print), 2288-159X (Online) LINK
2020
13 반사방지 나노 구조체를 이용한 AlGaN UV 포토다이오드의 광반응도 향상 한국정보통신학회논문지 (Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering), 제 24권, 제 10호, pp. 13061311, 8월, 2020. Duc Chu Dac, 최준행, 김정진, 차호영 DOI : 10.6109/jkiice.2020.24.10.1306, ISSN : 2234-4772 (Print), 2288-4165 (Online) LINK
12 p-GaN/AlGaN/GaN E-mode FET 제작을 위한 선택적 GaN 식각 공정 개발 한국정보통신학회논문지 (Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering), 제24권, 제2호, pp. 321-324, 2월, 2020. 장원호, 차호영 DOI : 10.6109/jkiice.2020.24.2.321, ISSN : 2234-4772 (Print), 2288-4165 (Online) LINK
2019
11 플로팅 금속 가드링 구조를 이용한 Ga2O3 쇼트키 장벽 다이오드의 항복 특성 개선 연구 전기전자학회 논문지(Journal of Institute of Korean Electrical and Electronics Engineers), 제23권, 제1호, pp. 193-199, 3월, 2019. 최준행, 차호영 DOI : 10.7471/ikeee.2019.23.1.193, ISSN : 1226-7244 (Print), 2288-243X (Online) LINK
10 AlGaN/GaN-on-Si 이종접합 기반의 고감도 수소센서 KEPCO Journal on Electric Power and Energy, 제5권, 제1호, pp. 39-43, 3월, 2019. 최준행, 조민기, 김형탁, 이호경, 차호영 DOI : 10.18770/KEPCO.2019.05.01.039, ISSN : 2465-8111 (Print), 2466-0124 (Online) LINK
2018
9 Tunable RF 기기 적용을 위한 ALD-HfO2의 마이크로파 대역 강유전체 특성 고찰 전기전자학회 논문지(Journal of Institute of Korean Electrical and Electronics Engineers), 제22권, 제3호, pp. 780-785, 9월, 2018. 한상우, 이창현, 이정해, 차호영 DOI : 10.7471/ikeee.2018.22.3.780, ISSN : 1226-7244 (Print), 2288-243X (Online) LINK
8 PECVD SiON 절연막을 이용한 4H-SiC MOS 소자 특성 연구 전기전자학회 논문지(Journal of Institute of Korean Electrical and Electronics Engineers), 제22권, 제3호, pp. 706-711, 9월, 2018. 김현섭, 이재길, 임종태, 차호영 DOI : 10.7471/ikeee.2018.22.3.706, ISSN : 1226-7244 (Print), 2288-243X (Online) LINK
7 P(VDF-TrFE) 유기물 강유전체를 활용한 질화갈륨 네거티브 커패시턴스 전계효과 트랜지스터 전기전자학회 논문지(Journal of Institute of Korean Electrical and Electronics Engineers), 제22권, 제1호, pp. 209-212, 3월, 2018. 한상우, 차호영 DOI : 10.7471/ikeee.2018.22.1.209, ISSN : 1226-7244 (Print), 2288-243X (Online) LINK
2017
6 현대 전력모듈의 소형화 및 GaN 기반 전력반도체의 모노리식 집적화 기술 전기전자재료(Bulletin of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers), 제30권, 제6호, pp. 10-18, 6월, 2017. 한상우, 차호영 DOI : -, ISSN : 1226-7937 (Print) LINK
5 단결정 β-Ga2O3 반도체를 이용한 쇼트키 배리어 다이오드 제작 대한전자공학회 논문지(The Institute of Electronics Engineers of Korea), 제54권, 제1호, pp. 21-25, 1월, 2017. 김현섭, 조민기, 차호영 DOI : 10.5573/ieie.2017.54.1.001, ISSN : 2287-5026 (Print), 2288-159X (Online) LINK
2014
4 산화갈륨 희생층을 이용한 AlGaN/GaN-on-Si HFET의 특성 개선 연구 대한전자공학회 논문지(The Institute of Electronics Engineers of Korea), 제51권, 제2호, pp. 33-37, 2월, 2014. 이재길, 차호영 DOI : 10.5573/ieie.2014.51.2.033, ISSN : 2287-5026 (Print), 2288-159X (Online) LINK

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