산화갈륨 희생층을 이용한 AlGaN/GaN-on-Si HFET의 특성 개선 연구 > Domestic journal

산화갈륨 희생층을 이용한 AlGaN/GaN-on-Si HFET의 특성 개선 연구
Title	산화갈륨 희생층을 이용한 AlGaN/GaN-on-Si HFET의 특성 개선 연구
Info	대한전자공학회 논문지(The Institute of Electronics Engineers of Korea), 제51권, 제2호, pp. 33-37, 2월, 2014.
Name	이재길, 차호영
Link	https://www.dbpia.co.kr/journal/articleDetail?nodeId=NODE02370787 408회 연결
산화갈륨 희생층을 이용한 AlGaN/GaN-on-Si HFET의 특성 개선 연구