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Advanced Semiconductor Technology Laboratory

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PECVD SiON 절연막을 이용한 4H-SiC MOS 소자 특성 연구
Title PECVD SiON 절연막을 이용한 4H-SiC MOS 소자 특성 연구
Info 전기전자학회 논문지(Journal of Institute of Korean Electrical and Electronics Engineers), 제22권, 제3호, pp. 706-711, 9월, 2018.
Name 김현섭, 이재길, 임종태, 차호영
Link 관련링크 http://www.dbpia.co.kr/Journal/ArticleDetail/NODE07576820# 405회 연결
PECVD SiON 절연막을 이용한 4H-SiC MOS 소자 특성 연구

  • IEEE

  • Hongik
    University

  • Alimni

  • Professor

School of Electronic and Electrical Engineering
Hongik University
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