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Advanced Semiconductor Technology Laboratory

Domestic conference
2021
118 Accumulation-mode 동작의 β-Ga2O3 MOSFET의 게이트 전계판 효과 한국전자파학회(The Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science), Yeosu , Korea, Feb. 17-19. C.-H. Jang, Gokhan Atmaca and H.-Y. Cha
117 Thin barrier AlGaN/GaN HEMT의 2DEG 특성 개선을 위한 AlN 박막 연구 제 28회 한국반도체 학술대회(The 28th Korean Conference on Semiconductors), Online, Korea, Jan. 25-29. W.-H. Jang, J.-H. Yim, T.-H. Kim and H.-Y. Cha
116 Normally-off Unidirectional Operation of p-GaN Gate AlGaN/Ga… 제 28회 한국반도체 학술대회(The 28th Korean Conference on Semiconductors), Online, Korea, Jan. 25-29. T.-H. Kim, J.-H. Yim, W.-H. Jang and H.-Y. Cha
115 Enhancement-mode β-Ga2O3 MOSFET 연구 제 28회 한국반도체 학술대회(The 28th Korean Conference on Semiconductors), Online, Korea, Jan. 25-29. C.-H. Jang, J.-H. Choi, Gokhan Atmaca and H.-Y. Cha
114 UV 광원을 이용한 상온 동작 AlGaN/GaN 이종접합 트렌지스터 수소가스 센서 연구 제 28회 한국반도체 학술대회(The 28th Korean Conference on Semiconductors), Online, Korea, Jan. 25-29. J.-H. Choi, T.-H. Park, W.-T. Choi, C.-H. Jang, J.-J. Kim, J.-H. Hur and H.-Y. Cha
113 P-GaN/AlGaN/GaN 이종 접합 트랜지스터의 Post-metallization Annealing 공정… 제 28회 한국반도체 학술대회(The 28th Korean Conference on Semiconductors), Online, Korea, Jan. 25-29. J.-H. Yim, T.-H. Kim, W.-T. Choi, W.-H. Jang and H.-Y. Cha
2020
112 플라즈마 기반 선택적 GaN 식각 공정에 따른 P-GaN/AlGaN/GaN 이종접합의 표면 손상 회복을 위한… 제 3회 반도체공학회 종합학술대회, Online, Yangjae , Korea, Dec. 16. T.-H. Kim, Y.-J. Yim, W.-H. Jang, and H.-Y. Cha
111 TiN 게이트를 통한 P-GaN/AlGaN/GaN 이종접합 FET의 Post-Metallization An… 제 3회 반도체공학회 종합학술대회, Online, Yangjae , Korea, Dec. 16. J.-H. Yim, T.-H. Kim, W.-H. Jang, and H.-Y. Cha
110 Thin barrier AlGaN/GaN HEMT의 2DEG 개선을 위한 박막 연구 대한전자공학회(The Institute of Electronics and Information Engineers), Online, Gwangju, Korea, Nov. 27-28. W.-H. Jang, T.-H. Kim, J.-H. Yim, and H.-Y. Cha
109 Au-free 공정을 사용한 문턱전압 3.5V의 P-GaN 게이트 기반 증강형 AlGaN/GaN 이종접합 트… 대한전자공학회(The Institute of Electronics and Information Engineers), Online, Gwangju, Korea, Nov. 27-28. J.-H. Yim, T.-H. Kim, W.-H. Jang, and H.-Y. Cha
108 A Study on Breakdown Behavior of β-Ga2O3 MOSFETs with Field … 대한전자공학회(The Institute of Electronics and Information Engineers), Online, Gwangju, Korea, Nov. 27-28. C.-H. Jang, J.-H. Choi, and H.-Y. Cha
107 PECVD SiNx 패시베이션을 이용한 얇은 AlGaN 장벽층 구조의 AlGaN/GaN HFETs 소자 특성… 한국전자파학회(The Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science), Jeju, Korea, Aug. 19-22. W.-H. Jang, H.-S. Kim, M.-J. Kang, K.-S. Seo, and H.-Y. Cha
106 Multi Drain P-GaN Gate 구조를 이용한 AlGaN/GaN 이종접합 HEMT의 Normally… 한국전자파학회(The Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science), Jeju, Korea, Aug. 19-22. T.-H. Kim, J.-H. Yim, W.-H. Jang, and H.-Y. Cha
105 원자층 증착법을 이용한 AlN 박막을 통한 AlGaN/GaN 이종 접합 HEMT의 2DEG 개선 연구 한국전자파학회(The Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science), Jeju, Korea, Aug. 19-22. W.-H. Jang, I.-H. Hwang, T.-H. Kim, J.-H. Yim, C.-H. Jang, K.-S. Seo, and H.-Y. Cha
104 AlGaN/GaN 이종접합 트랜지스터에 기반한 ZnO-NPs/Pd 이중 층 기능화 수소 가스 센서 대한전자공학회(The Institute of Electronics and Information Engineers), Jeju, Korea, Aug. 19-21. J.-H. Choi, T.-H. Park, C.-H. Jang, J.-H. Heo, and H.-Y. Cha

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