산화갈륨 기반 수직형 고전압 쇼트키 다이오드 구조 설계를 위한 해석적 모델 제안 > Domestic conference

산화갈륨 기반 수직형 고전압 쇼트키 다이오드 구조 설계를 위한 해석적 모델 제안
Title	산화갈륨 기반 수직형 고전압 쇼트키 다이오드 구조 설계를 위한 해석적 모델 제안
Info1	M.-J, Kim, S.-H. Lee, W.-C. Choi, S.-J. Oh, J.-H. Kim and H.-Y. Cha
Info2	제 31회 한국반도체학술대회(The 31st Korean Conference on Semiconductors), Kyungju, Korea, Jan. 24-26
Link	http://kcs.cosar.or.kr/2024/index.jsp 64회 연결
산화갈륨 기반 수직형 고전압 쇼트키 다이오드 구조 설계를 위한 해석적 모델 제안