이중 절연막 T-게이트를 사용한 p-GaN/AlGaN/GaN HFET에서의 게이트 누설 전류 감소 및 게이트 항복 전압 증가 > Domestic conference

이중 절연막 T-게이트를 사용한 p-GaN/AlGaN/GaN HFET에서의 게이트 누설 전류 감소 및 게이트 항복 전압 증가
Title	이중 절연막 T-게이트를 사용한 p-GaN/AlGaN/GaN HFET에서의 게이트 누설 전류 감소 및 게이트 항복 전압 증가
Info1	M.-G. Jeong, Gökhan Atmaca and H.-Y. Cha
Info2	대한전자공학회 2024년도 하계종합학술대회, Jun.26-28, 2024, Jeju
Link	https://conf.theieie.org/2024s/ 25회 연결
이중 절연막 T-게이트를 사용한 p-GaN/AlGaN/GaN HFET에서의 게이트 누설 전류 감소 및 게이트 항복 전압 증가